서울시립대학교(총장 원용걸) 첨단융합학부 강명곤․김기욱 교수 연구진의 논문 2편이 세계적 권위의 반도체 소자 학술대회인 IEEE International Electron Devices Meeting(IEDM) 2026에 동시 채택됐다. 서울시립대 연구진이 교신저자 및 제1저자로 참여한 논문이 IEDM에 채택된 것은 이번이 처음이다.

IEDM은 글로벌 반도체 기업과 세계 유수 대학·연구기관이 매년 최첨단 소자 기술과 연구 성과를 발표하는 국제 학술대회다. 초대형집적회로학회(VLSI), 국제고체회로학회(ISSCC)과 함께 세계 3대 반도체 학회로 꼽히며, ‘반도체 올림픽’으로 불릴 만큼 세계적인 권위를 인정받고 있다. 이번 IEDM 2026에 서울시립대 첨단융합학부 연구진이 참여한 논문 2편이 동시에 채택되면서 차세대 메모리 소자 분야의 연구 성과를 국제 학계에 선보이게 됐다.

첫 번째 논문 「Revisiting Threshold Voltage Placement in 3D NAND Storage: An Energy-Reliability Co-Optimization」은 강명곤 교수가 교신저자로 연구를 주도하고, 김기욱 조교수와 이경민․송태현 석사과정생이 공동 제1저자로 참여했다. 연구팀은 3D NAND Flash의 문턱전압 배치와 동작 조건을 함께 최적화해 프로그램 및 읽기 에너지를 90% 이상 줄이면서도 디스터브(disturb)에 대한 내성을 확보하는 새로운 동작 기법을 제안했다. 이번 연구는 고단화·고집적화가 계속되는 차세대 3D NAND의 저전력·고신뢰성 동작을 위한 원천기술로 활용될 것으로 기대된다.

올해 첨단융합학부에 부임한 김기욱 조교수가 제1저자로 참여한 두 번째 논문 「Monte Carlo-based Unified Ferroelectric Model for Fluorite & Wurtzite, and Their Proximity Coupling Effect」는 결정 구조가 서로 다른 두 강유전체 박막의 분극 스위칭을 하나의 모델로 해석하는 통합 모델링 기법을 제시했다. 특히 두 강유전체를 적층할 때 서로의 분극 특성을 강화하는 인접 결합(proximity coupling) 효과를 모델링하고, 이를 활용해 기존 메모리 소자의 한계를 넘어설 수 있는 새로운 설계 영역을 제안했다. 이 연구는 차세대 비휘발성 메모리 소자 개발에 기여할 것으로 기대된다.

이번 연구들은 미국 노터데임대학교(University of Notre Dame), 펜실베니아주립대학교(The Pennsylvania State University), 삼성전자, SK하이닉스 연구팀과의 공동연구로 수행됐다. 연구 성과는 오는 12월 12일부터 16일까지 미국 샌프란시스코에서 열리는 IEDM 2026에서 발표될 예정이다.

강명곤 교수는 “전 세계 반도체 연구자들이 한 해의 가장 중요한 성과를 내놓는 자리에서 서울시립대학교 연구진의 연구 성과를 발표하게 돼 뜻깊다. 함께 노력한 학생들과 공동연구기관에 감사드린다”고 말했다.

김기욱 조교수는 “부임 첫해에 IEDM에서 연구 성과를 발표하게 돼 뜻깊다. 강명곤 교수님과 연구실 학생들, 공동연구기관의 도움에 감사드리며, 차세대 메모리 소자 연구로 서울시립대학교의 반도체 연구 역량을 높이는 데 기여하겠다”고 밝혔다.