숭실대학교(총장 장범식) 전자정보공학부 유건욱 교수 연구팀과 버지니아대학교(University of Virginia) 이규상 교수팀의 공동연구로 진행된 ‘GaN/α-In2Se3 HEMT를 이용한 재구성 가능한 뉴로모픽 컴퓨팅 소자 개발’ 연구 결과가 국제학술 상위 논문지 ACS NANO(IF. 18.027, JCR 5.652%)에 게재됐다.

공동 연구팀은 이번 연구에서 GaN 기반의 고 이동도 트랜지스터에 강유전성 반도체라는 물질을 도입하고 새로운 구조를 적용하여 기존의 연구들에 비해 뛰어난 성능을 얻을 수 있었다. 또한, 인간의 시냅스 행동을 모방한 뉴로모픽 컴퓨팅에 처음으로 GaN HEMT 트랜지스터를 사용함으로써 앞으로 고주파와 전력반도체에서 뉴로모픽 컴퓨팅 응용이 가능하다는 것을 보여줬다.

유건욱 교수는 “빠른 펄스 신호를 통해 소자의 특성을 제어할 수 있게 됨으로써 재구성할 수 있는 HEMT 소자의 가능성을 제시했다. 현재 집적화 가능한 소자 구조 및 공정을 연구하는 중이며 향후 지능적 고주파 회로 및 전력반도체 응용이 가능할 것으로 기대된다”고 말했다.

양정용 연구원은 “해당 연구를 바탕으로 미국 박사과정에 진학해 고주파 신호를 처리할 수 있는 재구성 가능한 고 이동도 트랜지스터에 대해 더욱 실용성 있는 연구를 계속 이어 나갈 것”이라고 소감을 전했다.